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专利名称: 一种伪距相位综合的电离层延迟求解方法
申 请 号: CN201610705331.4
申请日期: 2016.08.22
专利授权日期:
第一发明人: 陈俊平
全部发明人: 陈俊平; 房成贺; 杨赛男; 巩秀强; 陈倩
专利类别: 发明